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BZX79-C12@133

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BZX79-C12@133 技術參數
  • BZX79-C12,143 功能描述:Zener Diode 12V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C12,133 功能描述:DIODE ZENER 12V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C12 標準包裝:1 BZX79-C12,113 功能描述:DIODE ZENER 12V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79C12 A0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C12 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79C13_T50R BZX79C13-T50A BZX79C15 BZX79C15 A0G BZX79-C15,113 BZX79-C15,133 BZX79-C15,143 BZX79C15_NT50R BZX79C15_T50A BZX79C15_T50R BZX79C15-T50A BZX79C15-T50R BZX79C16 BZX79C16 A0G BZX79-C16,113 BZX79-C16,133 BZX79-C16,143 BZX79C16_T50A
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