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BZX79-C51.

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BZX79-C51. PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE ZENER 500MW 51V

BZX79-C51. 技術(shù)參數(shù)

BZX79-C51,143 功能描述:Zener Diode 51V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 35.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C51,133 功能描述:Zener Diode 51V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 35.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-C51,113 功能描述:DIODE ZENER 51V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 35.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79C51 A0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 35.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C51 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 35.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79C56_T50R BZX79C5V1 BZX79C5V1 A0G BZX79-C5V1,113 BZX79-C5V1,133 BZX79-C5V1,143 BZX79C5V1_T50A BZX79C5V1_T50R BZX79C5V1-T50A BZX79C5V6 BZX79C5V6 A0G BZX79-C5V6,113 BZX79-C5V6,133 BZX79-C5V6,143 BZX79C5V6_T50A BZX79C5V6_T50R BZX79C5V6-T50A BZX79C5V6TR