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BZX79-C6V2.133

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BZX79-C6V2.133 技術參數
  • BZX79-C6V2,143 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C6V2 標準包裝:1 BZX79-C6V2,133 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C6V2 標準包裝:1 BZX79-C6V2,113 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79C6V2 A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C6V2 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79C6V8_T50A BZX79C6V8_T50R BZX79C6V8-T50A BZX79C75 A0G BZX79-C75,113 BZX79-C75,133 BZX79-C75,143 BZX79C7V5 BZX79C7V5 A0G BZX79-C7V5,113 BZX79-C7V5,133 BZX79-C7V5,143 BZX79C7V5_T50A BZX79C7V5_T50R BZX79C7V5-T50A BZX79C8V2 BZX79C8V2 A0G BZX79-C8V2,113
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