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BZX79C2O

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BZX79C2O 技術參數
  • BZX79C27-T50A 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 基本零件編號:BZX79C27 標準包裝:1 BZX79C27_T50R 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX79C27_T50A 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX79-C27,143 功能描述:Zener Diode 27V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C27,133 功能描述:Zener Diode 27V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79C2V4-T50A BZX79C2V7 BZX79C2V7 A0G BZX79-C2V7,113 BZX79-C2V7,133 BZX79-C2V7,143 BZX79C2V7_T50A BZX79C2V7_T50R BZX79C2V7-T50A BZX79C30 BZX79C30 A0G BZX79-C30,113 BZX79-C30,133 BZX79-C30,143 BZX79C30_T50A BZX79C30_T50R BZX79C30-T50A BZX79C33
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