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BZX84C3V0ST/3.0V

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BZX84C3V0ST/3.0V 技術參數

BZX84C3V0S-7-F 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 3V SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效配置:2 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BZX84C3V0S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 3V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產配置:2 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BZX84C3V0LT1G 功能描述:Zener Diode 3V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BZX84C3V0LT1 功能描述:Zener Diode 3V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10 BZX84C3V0LFHT116 功能描述:ZENER DIODE (AEC-Q101 QUALIFIED) 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 BZX84-C3V3,235 BZX84-C3V3/DG/B3,2 BZX84-C3V3/DG/B3:2 BZX84-C3V3/LF1R BZX84-C3V3/LF1VL BZX84C3V3-7 BZX84C3V3-7-F BZX84C3V3-E3-08 BZX84C3V3-E3-18 BZX84C3V3ET1 BZX84C3V3ET1G BZX84C3V3ET3 BZX84C3V3ET3G BZX84C3V3-G3-08 BZX84C3V3-G3-18 BZX84C3V3-HE3-08 BZX84C3V3-HE3-18 BZX84C3V3LFHT116