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BZX84C3V9-TGWILLAS

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BZX84C3V9-TGWILLAS 技術參數

BZX84C3V9T-7-F 功能描述:Zener Diode 3.9V 150mW ±5% Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:3,000 BZX84C3V9S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 3.9V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產配置:2 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BZX84C3V9S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 3.9V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產配置:2 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BZX84C3V9LT1G 功能描述:Zener Diode 3.9V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BZX84C3V9LT1 功能描述:Zener Diode 3.9V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10 BZX84C43-E3-18 BZX84C43-G3-08 BZX84C43-G3-18 BZX84C43-HE3-08 BZX84C43-HE3-18 BZX84C43LT1 BZX84C43LT1G BZX84C43-TP BZX84-C47,215 BZX84-C47,235 BZX84-C47/DG/B2,23 BZX84-C47/LF1R BZX84-C47/LF1VL BZX84C47-7 BZX84C47-7-F BZX84C47-E3-08 BZX84C47-E3-18 BZX84C47ET1