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BZX84C5V6T/R 5.6V

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BZX84C5V6T/R 5.6V PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX84C5V6T/R 5.6V 技術參數

BZX84C5V6S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 5.6V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效配置:2 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BZX84C5V6S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 5.6V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產配置:2 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BZX84C5V6LT3G 功能描述:Zener Diode 5.6V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10,000 BZX84C5V6LT3 功能描述:Zener Diode 5.6V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10,000 BZX84C5V6LT1G 功能描述:Zener Diode 5.6V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BZX84-C62/LF1VL BZX84C62-E3-08 BZX84C62-E3-18 BZX84C62-G3-08 BZX84C62-G3-18 BZX84C62-HE3-08 BZX84C62-HE3-18 BZX84C62LT1 BZX84C62LT1G BZX84-C68,215 BZX84-C68,235 BZX84C68-E3-08 BZX84C68-E3-18 BZX84C68-G3-08 BZX84C68-G3-18 BZX84C68-HE3-08 BZX84C68-HE3-18 BZX84C68LT1