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BZX85-C6V2 (DO35)

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BZX85-C6V2 (DO35) 技術參數
  • BZX85C6V2 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85C68-TR 功能描述:Zener Diode 68V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):130 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 51V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C68-TAP 功能描述:Zener Diode 68V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):130 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 51V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C62-TR 功能描述:Zener Diode 62V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):62V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C62-TAP 功能描述:Zener Diode 62V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):62V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C6V8 R0G BZX85C6V8_T50A BZX85C6V8_T50R BZX85C6V8-TAP BZX85C6V8-TR BZX85C75-TAP BZX85C75-TR BZX85C7V5 BZX85C7V5 A0G BZX85C7V5 R0G BZX85C7V5_T50R BZX85C7V5-TAP BZX85C7V5-TR BZX85C82-TAP BZX85C82-TR BZX85C8V2 BZX85C8V2 A0G BZX85C8V2 R0G
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