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BZX85B12V

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BZX85B12V PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX85B12V 技術參數

BZX85B12-TR 功能描述:Zener Diode 12V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B12-TAP 功能描述:Zener Diode 12V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B11-TR 功能描述:Zener Diode 11V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B11-TAP 功能描述:Zener Diode 11V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B10-TR 功能描述:Zener Diode 10V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B20-TAP BZX85B20-TR BZX85B22-TAP BZX85B22-TR BZX85B24-TAP BZX85B24-TR BZX85B27-TAP BZX85B27-TR BZX85B2V7-TAP BZX85B2V7-TR BZX85B30-TAP BZX85B30-TR BZX85B33-TAP BZX85B33-TR BZX85B36-TAP BZX85B36-TR BZX85B39-TAP BZX85B39-TR