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BZX85B39TA2

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BZX85B39TA2 技術(shù)參數(shù)
  • BZX85B36-TR 功能描述:Zener Diode 36V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準包裝:5,000 BZX85B36-TAP 功能描述:Zener Diode 36V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準包裝:5,000 BZX85B33-TR 功能描述:Zener Diode 33V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準包裝:5,000 BZX85B33-TAP 功能描述:Zener Diode 33V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準包裝:5,000 BZX85B30-TR 功能描述:Zener Diode 30V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準包裝:5,000 BZX85B3V9-TR BZX85B43-TAP BZX85B43-TR BZX85B47-TAP BZX85B47-TR BZX85B4V3-TAP BZX85B4V3-TR BZX85B4V7-TAP BZX85B4V7-TR BZX85B51-TAP BZX85B51-TR BZX85B56-TAP BZX85B56-TR BZX85B5V1-TAP BZX85B5V1-TR BZX85B5V6-TAP BZX85B5V6-TR BZX85B62-TAP
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