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BZX85C18穩(wěn)壓二極管

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BZX85C18穩(wěn)壓二極管技術(shù)參數(shù)

BZX85C18-TR 功能描述:Zener Diode 18V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX85C18-TAP 功能描述:Zener Diode 18V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX85C18-T50R 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 基本零件編號:BZX85C18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX85C18-T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 基本零件編號:BZX85C18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX85C18_T50R 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX85C22 A0G BZX85C22 R0G BZX85C22_T50A BZX85C22_T50R BZX85C22-TAP BZX85C22-TR BZX85C24 BZX85C24 A0G BZX85C24 R0G BZX85C24_T50A BZX85C24_T50R BZX85C24-T50R BZX85C24-TAP BZX85C24-TR BZX85C27 A0G BZX85C27 R0G BZX85C27_T50A BZX85C27_T50R