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BC858CLT1G

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
BC858CLT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BC858CLT1G 技術參數
  • BC858CLT1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 標準包裝:10 BC858C-HF 功能描述:TRANS PNP 30V 100MA SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:* 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BC858CE6433HTMA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:10,000 BC858CE6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BC858CDXV6T5G 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 晶體管類型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:8,000 BC859B,215 BC859BLT1 BC859BLT1G BC859BLT3G BC859BMTF BC859BW,115 BC859BW,135 BC859C,215 BC859C,235 BC859CE6327HTSA1 BC859CLT1 BC859CLT1G BC859CMTF BC859CW,115 BC859CW,135 BC859CW/ZLF BC859CW/ZLX BC860AMTF
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