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參數(shù)資料
| 型號： | B170B |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 中文描述： | 安培表面貼裝肖特基整流 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | B170B |
D
S
30018 Rev. B-2
1 of 2
B170/B - B1100/B
B170/B - B1100/B
1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
Ideally Suited for Automatic Assembly
Low Power Loss, High Efficiency
Surge Overload Rating to 30A Peak
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Application
High Temperature Soldering:
260 C/10 Second at Terminal
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Mechanical Data
Case: SMA / SMB, Molded Plastic
Terminals: Solder Plated Terminal -
Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
SMA Weight: 0.064 grams (approx.)
SMB Weight: 0.093 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
A
B
C
D
G
H
E
J
Characteristic
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
B170/B
B180/B
B190/B
B1100/B
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage @ I
F
= 1.0A
70
80
90
100
V
49
56
63
70
V
A
@ T
T
= 125 C
1.0
I
FSM
30
A
@ T
A
= 25 C
@ T
A
= 100 C
@ T
A
= 25 C
@ T
A
= 100 C
V
FM
0.79
0.69
V
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
I
RM
0.5
5.0
80
25
mA
C
j
pF
K/W
C
R
JT
T
j,
T
STG
-65 to +150
Notes:
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
No Suffix Designates SMA Package
“B” Suffix Designates SMB Package
SMA
SMB
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
Min
Max
Min
Max
2.29
2.92
3.30
3.94
4.00
4.60
4.06
4.57
1.27
1.63
1.96
2.21
0.15
0.31
0.15
0.31
4.80
5.59
5.00
5.59
0.10
0.20
0.10
0.20
0.76
1.52
0.76
1.52
2.01
2.62
2.00
2.62
All Dimensions in mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B180 | 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| B180B | 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| B190 | 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| B170 | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| B180 | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| B170B-13 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1.0A 70V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| B170B-13-F | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1.0A 70V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| B170BE-13 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 70V 1A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:790mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 70V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:27pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| B170BQ-13-F | 功能描述:Diode Schottky 70V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:790mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 70V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:DO-214AA（SMB） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| B170HHNAV | 制造商:Siemens 功能描述: |
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