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參數(shù)資料
| 型號： | BAQ34 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Planar Diodes |
| 中文描述： | 硅平面二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | BAQ34 |
BAQ33...BAQ35
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (3)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85537
Silicon Planar Diodes
Features
Very low reverse current
Applications
Protection circuits, time delay circuits, peak follower
circuits, logarithmic amplifiers
94 9371
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Reverse voltage
Test Conditions
Type
BAQ33
BAQ34
BAQ35
Symbol
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
F
T
j
T
stg
Value
30
60
125
2
200
200
–65...+200
Unit
V
V
V
A
mA
C
C
Peak forward surge current
Forward current
Junction temperature
Storage temperature range
t
p
=1 s
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Test Conditions
I
F
=100mA
E
300lx, V
R
E
300lx, V
R
, T
j
=125 C
E
300lx, V
R
=15V
E
300lx, V
R
=30V
E
300lx, V
R
=60V
I
=5 A, t
p
/T=0.01, t
p
=0.3ms
R
Type
Symbol
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
C
D
Min
Typ
Max
1
3
0.5
1
1
1
Unit
V
nA
A
nA
nA
nA
V
V
V
pF
1
BAQ33
BAQ34
BAQ35
BAQ33
BAQ34
BAQ35
0.5
0.5
0.5
Breakdown voltage
40
70
140
Diode capacitance
V
R
=0, f=1MHz
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAQ35 | Silicon Planar Diodes |
| BAR19 | Small Signal Schottky Diode(小信號肖特基二極管) |
| BAR63V-02V-GS08 | RF PIN Diode - Single in SOD-523 |
| BAR63V-02V-GS18 | RF PIN Diode - Single in SOD-523 |
| BAR65V-02V-GS08 | RF PIN Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAQ34-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAQ34-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAQ35 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diodes, Low Leakage Current |
| BAQ35-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 125 Volt 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAQ35-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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