- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369408 > BAS81 (NXP SEMICONDUCTORS) Schottky barrier diodes PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BAS81 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Schottky barrier diodes |
| 中文描述： | 0.03 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | BAS81 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1996 Sep 30
1998 Jun 24
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BAS81; BAS82; BAS83
Schottky barrier diodes
lfpage
M3D121
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS82 | Schottky barrier diodes |
| BAS81 | Schottky Barrier Diodes |
| BAS82 | Schottky Barrier Diodes |
| BAT120 | Schottky barrier double diodes |
| BAT120SERIES | Schottky barrier double diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BAS81_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diodes |
| BAS81_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diodes |
| BAS81_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diodes |
| BAS81-GS08 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 40 Volt 30mA 500 mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| BAS81-GS18 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 40 Volt 30mA 500 mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。