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參數資料
| 型號： | BAV100 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | General purpose diodes |
| 中文描述： | 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | BAV100 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of April 1996
1996 Sep 17
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BAV100 to BAV103
General purpose diodes
1/3 page (Datasheet)
M3D054
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV101 | General purpose diodes |
| BAV101 | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAV100 | Silicon Epitaxial Planar Diodes |
| BAV101 | Silicon Epitaxial Planar Diodes |
| BAV100 | Ultrafast silicon rectifier diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BAV100 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Small Signal Switching 250V 0.2A |
| BAV100_07 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Ultrafast silicon rectifier diodes |
| BAV100_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diodes, High Voltage |
| BAV100-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 1.0 Amp 60V 500mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAV100-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 1.0 Amp 60V 500mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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