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參數資料
| 型號： | BC184LB |
| 英文描述： | IC FLEX 10KA FPGA 100K 240-RQFP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | BC184LB |
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS
BC184L, BC184LB
BC184LC
TO-92
Plastic Package
General Purpose Amplifier Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector -Emitter Voltage
Collector -Base Voltage
Emitter -Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation @ Ta=25oC
Derate Above 25oC
Power Dissipation @ Tc=25oC
Derate Above 25oC
Operating And Storage Junction
Temperature Range
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
VALUE
30
45
6.0
100
350
2.8
1.0
8.0
-55 to +150
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW/oC
W
mW/oC
oC
P
D
T
j
, T
stg
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
Junction to Ambient
R
th(j-c)
R
th(j-a)
125
357
oC/W
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25oC Unless Specified Otherwise)
DESCRIPTION
Collector -Emitter Voltage
Collector -Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector-Cut off Current
Emitter-Cut off Current
DC Current Gain
BC184L
SYMBOL TEST CONDITION
V
CEO
I
C
=2mA,I
B
=0
V
CBO
I
C
=10
μ
A.I
E
=0
V
EBO
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
I
CBO
V
CB
=30V,I
E
=0
I
EBO
V
EB
=4V, I
C
=0
h
FE
I
C
=10
μ
A,V
CE
=5V
I
C
=2mA,V
CE
=5V
I
C
=100mA,V
CE
=5V
MIN
TYP
MAX
UNITS
V
V
V
nA
nA
30
45
6
0.2
15
15
100
240
130
800
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC2123 | Cyclone FPGA 12K FBGA-256 |
| BC212 | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BC212L | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BC212A | Cyclone FPGA 12K FBGA-256 |
| BC212BRL1 | Cyclone FPGA 12K FBGA-324 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC184LBV | 制造商: 功能描述:184LBV |
| BC184LC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 200mA HFE/9 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC184LC_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 200mA HFE/900 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC184LC_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT W/CNTR COLLECTOR PINOUT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC184LC_L34Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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