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參數資料
| 型號： | BC237 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | BC237 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 06
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Sep 04
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC237; BC237B
NPN general purpose transistors
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC237 | NPN general purpose transistors |
| BC237BRL1 | Stratix FPGA 40K FBGA-1020 |
| BC237BZL1 | Stratix FPGA 40K FBGA-1508 |
| BC237 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER) |
| BC238CDU050 | NPN Silicon Darlington Power Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC237/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN |
| BC237_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon |
| BC237_98 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BC237_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC237_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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