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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC307B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | PNP general purpose transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | BC307B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC415C | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC415A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC416A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
| BC416B | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC416C | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC307B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| BC307B_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors |
| BC307B_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC307BBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/460 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC307BG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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