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參數資料
| 型號： | BC308BJ05Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | BC308BJ05Z |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. B, January 2001
B
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage
Parameter
Value
Units
: BC307
: BC308/309
-50
-30
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: BC307
: BC308/309
-45
-25
-5
-100
500
150
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
°
C
°
C
-55 ~ 150
BC307/308/309
Switching and Amplifier Applications
Low Noise: BC309
1. Collector 2. Base 3. Emitter
TO-92
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC327-25 | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC327J05Z | 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC546RLRP | 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC548B | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC557C | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC308BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/460 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC308BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC308C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC308C_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW NOISE AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC308CBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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