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參數資料
| 型號： | BC309 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | BC309 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC320B | MAX II CPLD 2210 LE 256-FBGA |
| BC308 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BC323 | MAX II CPLD 2210 LE 324-FBGA |
| BC327 | PNP general purpose transistor |
| BC327-40 | PNP general purpose transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC3-09 | 功能描述:斷路器 COVER CERT.-MFGR RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產品:Device Circuit Breakers 產品類型:Thermomagnetic 電流額定值:2 A 電壓額定值 AC:240 V, 277 V 電壓額定值 DC:50 V 極數:1 Pole 執行器類型:Slide 電路功能:Trip Free 系列:CB TM1 工作溫度范圍:- 30 C to + 60 C 照明:No |
| BC309_98 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BC309A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| BC309ABU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC309ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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