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參數資料
| 型號： | BC327-25 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | BC327-25 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 10
1999 Apr 15
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC327
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC327 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BC327 | Small Signal Transistors (PNP) |
| BC328 | PNP SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BC328 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC328-16 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC327-25 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC327-25,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC327-25,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC327-25/E6 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk |
| BC327-25/E7 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Ammo |
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