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參數資料
| 型號： | BC337 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | BC337 |
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC337
BC337A
BC338
TO-92
Plastic Package
Complementary Transistors For Use in Driver And Output Stages of Audio Amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
BC327
BC337
45
50
BC327A
BC337A
60
60
5.0
800
1.0
1.0
100
200
625
5
BC328
BC338
25
30
UNITS
Collector Emitter Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
E M
I
B
I
BM
P
TA
V
V
V
mA
A
A
mA
mA
mW
mW/oC
o
C
Peak
Emitter Current Peak
Base Current Continuous
Base Current Peak
Power Dissipation @ Ta=25°C
Derate Above 25°C
Operating And Storage Junction
Temperature Range
T
j
, T
stg
-65 to +150
THERMAL RESISTANCE
Junction to Ambient in Free Air
R
th(j-a)
200
oC/W
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC337-16 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC337-25 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC337-40 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC337 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BC337 | Small Signal Transistors (NPN) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC337 AMO | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC337 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC337,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC337,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC337,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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