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參數(shù)資料
| 型號： | BC363 |
| 英文描述： | 256MB SDRAM SODIMM |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | BC363 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC425 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| BC427 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| BC431 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-12 |
| BC514 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR |
| BC526 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC368 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 2A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC368 AMO | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC368,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC368,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC368/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN |
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