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參數資料
| 型號： | BC368-25 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | BC368-25 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Feb 28
1999 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC368
NPN medium power transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC859W | High Speed CMOS Logic Quad Bilateral Switches 14-PDIP -55 to 125 |
| BC859W | High Speed CMOS Logic Quad Bilateral Switches 14-SOIC -55 to 125 |
| BCB-100 | FUSE 10 AMP 326010/MDA10CERAMIC LF BUSS |
| BCB2Y-150 | FUSE,SLO-BLO,15A,250V |
| BCB2Y-400 | Fuse Holder; Fuse Size/Group:1/4 x 1-1/4 "; Body Material:Thermoplastic; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Panel Mount RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC368-25ZL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| BC368-AMMO | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC368G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC368T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC368ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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