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參數資料
| 型號： | BC369 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 互補硅外延晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | BC369 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC369 | PNP medium power transistor |
| BC369-10 | 16Mb EDO/FPM - OBSOLETE |
| BC369-16 | DIODE ZENER SINGLE 1000mW 4.7Vz 53mA-Izt 0.05 10uA-Ir 1Vr DO41-GLASS 5K/AMMO |
| BC369-25 | PNP medium power transistor |
| BC373ZL1 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC369,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC369_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -20V -1.5A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC369_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -20V -1.5A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC369_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -20V -1.5A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC369_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -20V -1.5A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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