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參數資料

型號：	BC386
英文描述：	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
中文描述：	晶體管\|晶體管\|叩\| 20V的五（巴西）總裁\| 100mA的一（c）\|至92
文件頁數：	1/1頁
文件大小：	116K
代理商：	BC386

相關代理商/技術參數	參數描述
BC387	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
BC388	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
BC393	功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC394	功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC394_02	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN

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