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參數資料
| 型號： | BC413B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | BC413B |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC413 | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BF479T | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-50 |
| BF485PN | TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 350V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| BF485 | NPN high-voltage transistors |
| BF491 | RKZ Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 05V; Output Voltage (Vdc): 15V; Power: 2W; High Isolation 2W Converter; Approved for Medical Applications; Custom Solutions Available; 3kVDC & 4kVDC Isolation Options; UL94V-0 Package Material; Optional Continuous Short Circuit Protected; Efficiency to 84% |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC413BPSTZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC413C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC413P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC413PSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC413PSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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