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參數資料
| 型號： | BC488A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | BC488A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC488B | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC488L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC489AZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC489 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BC489BZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC488B | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors PNP Silicon |
| BC488BRL WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BC488BRL1 | 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| BC488BRL1 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BC488BRL1G | 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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