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參數資料
型號: BC517RL1
英文描述: 8Gb Mass Storage - OBSOLETE
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 30V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至92
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 289K
代理商: BC517RL1
相關PDF資料
PDF描述
BC517S NAND Flash Memory; Density: 8Gb; Organization: 1Gbx8; Bits/Cell: MLC; I/O: Common; Supply Voltage: 3.3V; Operating Temperature Range: 0° to +70°C; Package: 48-TSOP
BC517ZL1 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC517 COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
BC517 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR)
BC517 NPN Darlington transistor(NPN達林頓晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
BC517RL1G 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BC517T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC517ZL1 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BC517ZL1G 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BC51E129B14-IYH-E4 功能描述:IC BLUECORE5-FM 67-WLCSP RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 收發器 系列:BlueCore™5 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:30 系列:- 頻率:4.9GHz ~ 5.9GHz 數據傳輸率 - 最大:54Mbps 調制或協議:* 應用:* 功率 - 輸出:-3dBm 靈敏度:- 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 電流 - 接收:* 電流 - 傳輸:* 數據接口:PCB,表面貼裝 存儲容量:- 天線連接器:PCB,表面貼裝 工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-TQFN 裸露焊盤 包裝:管件
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