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參數資料
| 型號： | BC546BAMO |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 65V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | BC546BAMO |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC546 | NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC546A | NPN general purpose transistors |
| BC546B | NPN general purpose transistors |
| BC547CAMO | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC546C | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC546B-AP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 625mW, 65V, 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC546B-BP | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| BC546BBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC546BG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC546BRL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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