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參數資料
型號: BC548B
廠商: DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述: 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 315K
代理商: BC548B
相關PDF資料
PDF描述
BC548C Si-Epitaxial PlanarTransistors
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BC547A Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC547B Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC547 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
相關代理商/技術參數
參數描述
BC548B A1 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC548B A1G 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:4,000
BC548B B1G 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:5,000
BC548B/E6 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
BC548B/E7 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
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