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參數資料
| 型號： | BC548VI |
| 英文描述： | A0533295, MEMORY, IC, SDRAM-DDR, 2 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | BC548VI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BC548 | NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| BC548C | NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| BC547 | NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC548サ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon Transistors |
| BC549 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC549_99 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
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| BC549_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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