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參數資料
| 型號： | BC558 |
| 廠商： | Boca Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | BC558 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC556 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC556A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC556B | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC557 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC557A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC558/E6 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTOR - Tape and Reel |
| BC558_D81Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC558_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC558_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC558A | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Elektronische Bauelemente |
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