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參數資料
| 型號： | BC558A |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 10D3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 286K |
| 代理商： | BC558A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC558B | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC558C | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC556 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC556A | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC556B | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC558A/E6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC558A/E7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC558ABU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC558A-BULKS | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC558AMO | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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