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參數資料
| 型號： | BC559 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | BC559 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jun 03
1999 May 28
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC559
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC559B | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC559C | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC559 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE) |
| BC559 | Small Signal Transistors (PNP) |
| BC618RL1 | 512Mb Mobile SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC559/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Low Noise Transistors |
| BC559_99 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
| BC559_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC559_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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