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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC638-AP |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 362K |
| 代理商： | BC638-AP |
BC636-16
BC638
BC640
PNP Epitaxial
Silicon Transistors
Features
Through Hole Package
Capable of 830mWatts of Power Dissipation
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
Maximum Ratings
Symbol
Collector-Emitter Voltage BC636
Rating
Value
-45
-60
-100
-45
-60
-80
-5.0
-1.0
-100
-65 to +150
-65 to +150
Unit
V
V
V
V
V
V
V
A
mA
℃
℃
V
CEO
BC638
BC640
V
CBO
Collector-Base Voltage BC636
BC638
BC640
V
EBO
I
C
I
B
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-1mAdc,I
B
=0) BC636
Min
Typ
Max
Unit
V
(BR)CEO
-45
-60
-80
---
---
Vdc
Vdc
Vdc
BC638
BC640
I
CBO
Collector Cutoff Current
(V
CB
=-30Vdc, I
E
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=-5.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(V
CE
=-2Vdc, I
C
=-5mAdc)
DC Current Gain
(V
CE
=-2Vdc, I
C
=-150mAdc) BC636-10
BC636
-16,BC638
,BC640
DC Current Gain
(V
CE
=-2Vdc, I
C
=-500mAdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-500mAdc,I
B
=-50mAdc)
Base-Emitter Voltage
(I
C
=-500mAdc, V
CE
=-2Vdc)
Transition Frequency
(V
CE
=-5.0Vdc, I
C
=-50mAdc, f=100MHz)
---
---
---
---
-0.1
μ
Adc
I
EBO
-0.1
μ
Adc
h
FE(1)
40
---
---
h
FE(2)
63
100
160
250
h
FE(3)
25
V
CE(sat)
---
---
-0.5
Vdc
V
BE(on)
---
100
---
---
-1.0
---
Vdc
MHz
f
T
BC636-10
TO-92
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.170
.170
.550 .590 13.97 14.97
.010
.020
.130
.160
.010
.104
MM
DIM
A
B
C
D
E
G
MAX
.190
.190
MIN
4.33
4.30
MAX
4.83
4.83
NOTE
0.36
3.30
2.44
0.56
3.96
2.64
A
E
B
C
D
G
omp
onents
20736
Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
M C C
TM
Micro Commercial Components
Revision: 1 2011/01/01
www.
mc c semi
.c om
RoHS Compliant. See ordering information)
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
E
C
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC808-16W-E6433 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC817-25D87Z | 1500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCB58C-2 | INTERCONNECTION DEVICE |
| BCB58C-3 | INTERCONNECTION DEVICE |
| BCF32TRL13 | 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC638BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC638G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC638T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC638TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC638TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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