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參數資料
| 型號： | BC639-16 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | BC639-16 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC638 | PNP medium power transistors |
| BC638 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| BC639 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| BC638-16 | PNP medium power transistors |
| BC638 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR(HIGH CURRENT TRANSISTORS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC639-16,126 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR |
| BC63916/D74Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| BC63916_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC63916_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC63916_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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