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參數資料
型號: BC639ZL1
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 500mA的一(c)|至226AA
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 59K
代理商: BC639ZL1
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
NPN/PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC635, 37, 39 (NPN)
BC636, 38, 40 (PNP)
TO 92
BCE
Driver Stages of Audio Amplifier Application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C )
DESCRIPTION
SYMBOL
BC635
BC636
45
45
BC637
BC638
60
60
5.0
1.0
800
6.4
2.75
22
-55 to +150
BC639
BC640
80
80
UNITS
Collector -Base Voltage
Collector -Emitter Voltage
Emitter -Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation@ Ta=25 deg C
Derate Above 25 deg C
Power Dissipation@ Tc=25 deg C
Derate Above 25 deg C
Operating & Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
From Junction to Case
From Junction to Ambient
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)
DESCRIPTION
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
V
V
V
A
mW
mW/deg C
W
mW/deg C
deg C
Tj, Tstg
Rth(j-c)
Rth(j-a)
45
156
deg C/W
deg C/W
SYMBOL
TEST CONDITION
BC635
BC636
>45
>45
BC637
BC638
>60
>60
BC639
BC640
>80
>80
UNITS
Collector -Emitter Voltage
Collector -Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector-Cut off Current
VCEO *
VCBO
VEBO
ICBO
IC=10mA,IB=0
IC=100uA.IE=0
IE=10uA, IC=0
VCB=30V, IE=0
V
V
V
nA
Ta=125 deg C
VCB=30V, IE=0
IC=500mA,VCE=2V
uA
V
V
Base Emitter on Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
VBE(on) *
VCE(Sat) * IC=500mA, IB=50mA
hFE*
IC=5mA, VCE=2V
.
IC=150mA,VCE=2V
<0.5
>25
40-250
40-160
40-160
Group-10
Group-16
IC=500mA,VCE=2V
>5.0
<100
<10
<1.0
>25
63 -160
100 -250
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關PDF資料
PDF描述
BC636-10 PNP medium power transistors
BC636 PNP medium power transistors
BC640 PNP medium power transistors
BC640 COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
BC640-16 PNP medium power transistors
相關代理商/技術參數
參數描述
BC639ZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC63B239A04-AQK-E4 功能描述:IC BC6ROM AUTO SDIO/UART 40-QFN RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 收發器 系列:- 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:30 系列:- 頻率:4.9GHz ~ 5.9GHz 數據傳輸率 - 最大:54Mbps 調制或協議:* 應用:* 功率 - 輸出:-3dBm 靈敏度:- 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 電流 - 接收:* 電流 - 傳輸:* 數據接口:PCB,表面貼裝 存儲容量:- 天線連接器:PCB,表面貼裝 工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-TQFN 裸露焊盤 包裝:管件
BC63B239A04-AQK-E4V 制造商:CSR 功能描述:CHIPSET
BC63B239A04-ES-IQD-E4 制造商:CSR 功能描述:
BC63B239A04-IQD-E4 功能描述:IC BC6ROM SDIO/UART/CSPI 40-QFN RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 收發器 系列:BlueCore™6-ROM 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:30 系列:- 頻率:4.9GHz ~ 5.9GHz 數據傳輸率 - 最大:54Mbps 調制或協議:* 應用:* 功率 - 輸出:-3dBm 靈敏度:- 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 電流 - 接收:* 電流 - 傳輸:* 數據接口:PCB,表面貼裝 存儲容量:- 天線連接器:PCB,表面貼裝 工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-TQFN 裸露焊盤 包裝:管件
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