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參數資料
| 型號： | BC807-16 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | BC807-16 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC807 | PNP Silicon Transistor (High current application Switching application) |
| BC80716-5AZ | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BC80725-5BZ | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BC80740-5CZ | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BC807 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC807-16 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC807-16 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC807-16 RFG | 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.5A, 10 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 |
| BC807-16 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC807-16,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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