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參數(shù)資料
型號: BC807-16LT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述: 通用晶體管(民進黨硅)
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 102K
代理商: BC807-16LT1
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PDF描述
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參數(shù)描述
BC807-16LT1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor PNP
BC807-16LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807-16LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -45V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23
BC807-16LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807-16LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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