- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384121 > BC807-16W (DIOTEC SEMICONDUCTOR AG) SH2 Series, 7086 Group, Two ADC circuits, 6-ch 16-bit MTU2, 3-ch 16-bit MTU2S, Port Output Enable, 2-ch CMT, UBC, 5v IO, 15 mA IO TFP-100B; Vcc= 3.0 to 5.5 volts, Temp= -20 to 85 C; Package: PTQP0100KA-A PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BC807-16W |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | ADC |
| 英文描述： | SH2 Series, 7086 Group, Two ADC circuits, 6-ch 16-bit MTU2, 3-ch 16-bit MTU2S, Port Output Enable, 2-ch CMT, UBC, 5v IO, 15 mA IO TFP-100B; Vcc= 3.0 to 5.5 volts, Temp= -20 to 85 C; Package: PTQP0100KA-A |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | BC807-16W |
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
4
01.11.2003
1
2
3
Type
Code
2
±
2
±0.1
1
±0.1
1
±
0.3
1.3
BC 807W / BC 808W
General Purpose Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial
PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren
für die Oberflchenmontage
PNP
Power dissipation – Verlustleistung
225 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-323
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
1 = B
2 = E
3 = C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25 C)
Grenzwerte
(T
A
= 25 C)
BC 807W
BC 808W
Collector-Emitter-voltage
B open
- V
CE0
- V
CES
- V
CB0
- V
EB0
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
45 V
25 V
Collector-Emitter-voltage
B shorted
50 V
30 V
Collector-Base-voltage
E open
50 V
30 V
Emitter-Base-voltage
C open
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
225 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (DC)
500 mA
Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom
1000 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
200 mA
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
1000 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
150 C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- 65…+ 150 C
Characteristics, T
j
= 25 C
Kennwerte, T
j
= 25 C
Typ.
Min.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA
BC807W
BC808W
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
100
–
600
40
–
–
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
Group -16W
100
160
250
Group -25W
160
250
400
Group -40W
250
400
600
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC807-25W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC807-40W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC807W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC808W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC808-16W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC807-16W /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC807-16W RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC807-16W RFG | 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -45V, 0.5A, 100 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| BC807-16W T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC807-16W,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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