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參數資料
| 型號： | BC808-25L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 25V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | BC808-25L |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC808-40L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| BC818.16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| BC818.25 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| BC818.40 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| BC807.25 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC808-25LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC808-25LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC80825MTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC80825TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC80825TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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