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參數(shù)資料
| 型號： | BC817-40 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 800 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | BC817-40 |
KST-2003-000
1
BC817
NPN Silicon Transistor
Descriptions
High current application
Switching application
Features
Suitable for AF-Driver stage and low power output stages
Complementary pair with BC807
Ordering Information
Type NO.
Marking
Package Code
BC817
NA
SOT-23
: hFE rank
Outline Dimensions
unit : mm
S
Se
em
miic
co
on
nd
du
uc
ctto
or
r
PIN Connections
1. Base
2. Emitter
3. Collector
2.4
±0.1
1.30
±0.1
0.45~0.60
0.
4
T
yp
.
2.
9±
0.
1
1.
1
2
M
ax.
0.
3
8
0~
0.
1
0.
1
2
4
-0.
0
3
+0.
0
5
3
1
2
1.
9
0
T
yp
.
0.2 Min.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| BC817-40,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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