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參數資料
| 型號： | BC846BT |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
| 中文描述： | 65伏，100毫安NPN型通用晶體管 |
| 封裝： | BC846<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC846A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;B |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | BC846BT |
1.
Product profile
1.1 General description
NPN general-purpose transistors in Surface Mounted Device (SMD) plastic packages.
Table 1.
Type number
[1]
[1]
Valid for all available selection groups.
[2]
Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see
Section 2
).
1.2 Features
General-purpose transistors
SMD plastic packages
Two different gain selections
1.3 Applications
General-purpose switching and amplification
1.4 Quick reference data
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
h
FE
BC846/BC546 series
65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
Rev. 07 — 17 November 2009
Product data sheet
Product overview
Package
NXP
SOT23
SOT323
SOT416
SOT54
SOT54
PNP
complement
JEITA
-
SC-70
SC-75
SC-43A
SC-43A
JEDEC
TO-236AB
-
-
TO-92
TO-92
BC846
BC846W
BC846T
BC546A
[2]
BC546B
[2]
BC856
BC856W
BC856T
BC556A
BC556B
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
DC current gain
Conditions
open base
Min
-
-
110
Typ
-
-
-
Max
65
100
450
Unit
V
mA
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2 mA
h
FE
group A
h
FE
group B
110
200
180
290
220
450
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC846W | 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
| BC847DS | 45 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor |
| BC847U | NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
| BC847 | Small Signal NPN Transistors(小信號NPN晶體管) |
| BC847 | 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC846BT T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC846BT TR | 功能描述:TRANS NPN 65V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 |
| BC846BT,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC846BT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
| BC846BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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