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參數資料
| 型號： | BC847AF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic 4-to-16 Line Decoder/Demultiplexer 24-PDIP -55 to 125 |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | BC847AF |
DATA SHEET
Preliminary specification
Supersedes data of 1998 Nov 10
1999 May 18
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC846F; BC847F; BC848F series
NPN general purpose transistors
M3D425
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC848AF | High Speed CMOS Logic Hex D-Type Flip-Flop with Reset 16-PDIP -55 to 125 |
| BC848BF | High Speed CMOS Logic Quad D-Type Flip-Flop with Reset 16-SOIC -55 to 125 |
| BC846BF | NPN general purpose transistors |
| BC846F | NPN general purpose transistors |
| BC847BF | NPN general purpose transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC847AF,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC847A-G | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 6V, 10uA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BC847A-GS08 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Switching/AF Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC847AL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC847ALT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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