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參數資料
| 型號： | BC847CDW1T1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|叩| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 363 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | BC847CDW1T1 |
DS30274 Rev. A-2
1 of 3
BC847AT, BT, CT
BC847AT, BT, CT
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
V
CBO
50
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
45
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6.0
V
Collector Current
I
C
100
mA
Power Dissipation (Note 1)
P
d
150
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
JA
833
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
, T
STG
-55 to +150
°C
Epitaxial Die Construction
Complementary PNP Type Available
(BC857AT,BT,CT)
Ultra-Small Surface Mount Package
Type
Marking
BC847A
1E
BC847B
1F
BC847C
1M
Case: SOT-523, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Weight: 0.002 grams (approx.)
Mechanical Data
A
B
C
C
B
TOP VIEW
G
M
L
J
D
H
N
K
E
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout.
NSOT-523
Dim
Min
Max
Typ
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
All Dimensions in mm
Ordering Information
Device
Packaging
Shipping
BC847AT-7
SOT-523
3000/Tape & Reel
BC847BT-7
SOT-523
3000/Tape & Reel
BC847CT-7
SOT-523
3000/Tape & Reel
(Note 2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC847BLT3 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC847CT116 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
| BC847CT-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-523 |
| BC847CTT1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| BC847 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC847CDW1T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC847CDW1T1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A 6PIN SC-88 - Tape and Reel |
| BC847CDXV6T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC847CDXV6T1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors |
| BC847CDXV6T1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors |
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