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參數資料
| 型號： | BC848AW-7 |
| 英文描述： | MEMORY, 168 PIN PC-100 64MB SDR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 323 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BC848AW-7 |
DS30250 Rev. 3 - 2
1 of 2
BC846AW - BC848CW
BC846AW - BC848CW
NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
BC846
BC847
BC848
V
CBO
80
50
30
V
Collector-Emitter Voltage
BC846
BC847
BC848
V
CEO
65
45
30
V
Emitter-Base Voltage
BC846, BC847
BC848
V
EBO
6.0
5.0
V
Collector Current
I
C
100
mA
Peak Collector Current
I
CM
200
mA
Peak Emitter Current
I
EM
200
mA
Power Dissipation (Note 1)
P
d
200
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
R
JA
625
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
, T
STG
-65 to +150
°C
Ideally Suited for Automatic Insertion
ComplementaryPNP Types Available
(BC856W-BC858W)
For Switching and AF Amplifier Applications
Mechanical Data
Marking Code (Note 2)
Type
Marking
Type
Marking
BC846AW
K1Q
BC847CW
K1M
BC846BW
K1R
BC848AW
K1J, K1E, K1Q
BC847AW
K1E, K1Q
BC848BW
K1K, K1F, K1R
BC847BW
K1F, K1R
BC848CW
K1L, K1M
Case: SOT-323, Molded Plastic
Case material -UL Flammability Rating
Classification 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Pin Connections: See Diagram
Marking Codes (See Table Below & Diagram
on Page 2)
Ordering & Date Code Information: See Page 2
Approx. Weight: 0.006 grams
A
M
J
L
F
D
B C
H
K
G
B
E
C
Notes:
document AP02001, which can be found on ourwebsite at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.2. Current gain subgroup “C” is not available for BC846W.
SOT-323
Dim
Min
Max
A
0.25
0.40
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65 Nominal
E
0.30
0.40
G
1.20
1.40
H
1.80
2.20
J
0.0
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.18
0
8
All Dimensions in mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC848B-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC848BL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC848BW-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
| BC848CW-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
| BC846BW-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC848AW-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848AW-G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V, .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848AWT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848AWT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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