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參數(shù)資料
型號: BC848CF
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN general purpose transistors
中文描述: 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 51K
代理商: BC848CF
DATA SHEET
Preliminary specification
Supersedes data of 1998 Nov 10
1999 May 18
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC846F; BC847F; BC848F series
NPN general purpose transistors
M3D425
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848F High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
BC846F NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC847F High Speed CMOS Logic 8-Bit Parallel-In/Serial-Out Shift Register 16-PDIP -55 to 125
BC848F High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
BC846AW-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC848C-G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM SIGNAL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
BC848CMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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