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參數資料
| 型號： | BC850 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN general purpose transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | BC850 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Aug 06
1999 Apr 08
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC849; BC850
NPN general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC850 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC850B-2FZ | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC850C-Z2G | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC850 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC850B | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC850A | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
| BC850-A-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC850-A-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC850ALT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) |
| BC850AMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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